| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3911DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3932DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 6-TSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3948DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A 6-TSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6-TSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3951DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3951DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3981DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 1.6A 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3981DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3983DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.1A 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3983DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3993DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 12000 | MOSFET P-CH DUAL 30V 1.8A 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI3993DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 6-TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4204DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 190 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4214DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2477 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI4214DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI4226DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI4228DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 25V 8A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
