| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMG4511SK4-13 | Diodes Inc | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 7500 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG4800LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG4822SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG4932LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） | 3055 | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG5802LFX-7 | Diodes Inc | 6-VFDFN 裸露焊盘 | MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMG6601LVT-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| DMG6602SVT-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 9000 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG6898LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 14725 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG6968UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 6000 | MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG8601UFG-7 | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG8822UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 6288 | MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG9926UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 6000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG9926USD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMHC3025LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N+2P 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 特点：逻辑电... | ||
| DMN2004DMK-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN2004DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 27187 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2004VK-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 6000 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2005DLP4K-7 | Diodes Inc | 6-SMD，无引线 | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN2016LFG-7 | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2016UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
