| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC4050SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7500 | MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG1016UDW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 69000 | MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG1016V-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 2581 | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG1023UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 3000 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG1024UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 4281 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG1026UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 21000 | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG1029SV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 12000 | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG4511SK4-13 | Diodes Inc | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 7500 | MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG4800LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG4822SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMG4932LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽） | 3055 | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2004DMK-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN2004DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 27187 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2004VK-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 6000 | MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2005DLP4K-7 | Diodes Inc | 6-SMD，无引线 | MOSFET DUAL N-CH 6-DFN | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN2016LFG-7 | Diodes Inc | 8-UDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2016UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN2019UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN2040LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.0A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN2040LTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
