| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN4031SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 6355 | MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN4034SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET 2N-CH 40V 4.8A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN5L06DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN5L06V-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN5L06VA-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N-CH DUAL SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN601VK-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 4813 | MOSFET N-CH DL 60V 250MW SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN6040SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N CH 60V 5A SO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMN63D8LV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N-CH 30V DUAL SOT563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMP2004DMK-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-26 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMP2004DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET DUAL P-CH 20V SOT-363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| DMP2004VK-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 24000 | MOSFET P-CH DUAL 530MA SOT-563 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMP2035UTS-13 | Diodes Inc | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMP2066LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMP2100UCB9-7 | Diodes Inc | 9-UFBGA，WLBGA | 3000 | MOSFET P CH 20V 3A U-WLB1515-9 | FET 型：2 P 沟道（双）共源 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMP2240UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 10724 | MOSFET P-CH DUAL 20V 2A SOT-26 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMP57D5UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 6000 | MOSFET P-CH DUAL 50V SOT563 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMS3017SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMS3019SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4984 | MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A SO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN601DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| DMN601DMK-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 3000 | MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
