| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ALD110904PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 108 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110904SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 36 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110908APAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 97 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110908ASAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 90 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110908PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 61 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110908SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 72 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110914PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 63 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD110914SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 87 | MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1110EPAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ALD1110ESAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ALD1115MAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET N/P-CH 13.2V 8MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | ||
| ALD1115PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 150 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8PDIP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | |
| ALD1115SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 50 | MOSFET N/P-CH 13.2V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：1... | |
| ALD1116PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 52 | MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1116SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 891 | MOSFET 2N-CH 13.2V 4.8MA 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1117PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 157 | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8PDIP | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD1117SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 52 | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOIC | FET 型：2 P 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD111933MAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 48 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD111933PAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 46 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ALD111933SAL | Advanced Linear Devices Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 100 | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | FET 型：2 N 沟道（双）配对 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
