| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSO203PH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4970 | MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO204P | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL P-CH 20V 7A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO207P | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO207PH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO211P | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO215C | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSO220N03MDG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO303P | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO303PH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO330N02KG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO350N03 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 545 | MOSFET N-CHAN 30V 5A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO4804 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO4804T | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO604NS2 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO612CV | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：6... | ||
| BSO612CVG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：6... | ||
| BSO615CG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSO615CT | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSO615N | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSO615NG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
